TSMC zwiększa inwestycje w 3-nanometrowe procesy N3 na świecie — start produkcji od 2027 r.

TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, TSM) przyspiesza wydatki inwestycyjne, aby rozszerzyć globalne moce technologii 3-nanometrowych FinFET (N3). Spółka robi to w odpowiedzi na silny popyt na zastosowania sztucznej inteligencji (AI).

Zarząd oczekuje, że to działanie wesprze wieloletnią, stabilną „kolejkę” popytu na tę technologię. N3 trafia do klientów z branży smartfonów, a także na potrzeby High-Performance Computing (HPC) w AI. Wśród odbiorców są m.in. układy oparte na pamięciach High Bandwidth Memory (HBM), a także klienci z sektora motoryzacyjnego i Internetu Rzeczy (IoT).

To także odejście od wcześniejszej praktyki TSM. Dotychczas spółka ograniczała dodawanie nowych mocy do danego węzła (node), gdy osiągał on docelowy poziom. Teraz inwestycje mają być przyspieszone, aby nadążyć za zapotrzebowaniem na N3.

W Tajwanie TSM buduje nową fabrykę 3-nanometrową, która dołączy do klastra GIGAFAB w Tainan Science Park. Produkcja masowa ma ruszyć w pierwszej połowie 2027 roku.

W Arizonie druga fabryka również będzie wykorzystywać technologię 3-nanometrową. Ponieważ budowa jest już zakończona, produkcja masowa ma się rozpocząć w drugiej połowie 2027 roku.

W Japonii TSM planuje zastosowanie technologii 3-nanometrowej w swojej drugiej fabryce. Produkcja masowa ma rozpocząć się w 2028 roku.

Równolegle TSM nadal przekształca narzędzia związane z technologią 5-nanometrową, aby wspierać moce 3-nanometrowe w Tajwanie. Spółka pracuje też nad zwiększeniem produktywności w fabrykach na całym świecie. Celem jest uzyskanie większej liczby wyprodukowanych wafli, przy jednoczesnym optymalizowaniu mocy w różnych węzłach — w tym poprzez elastyczne wsparcie mocy między węzłami N7, N5 i N3.

Finansowo TSM planuje, że marża brutto na N3 przekroczy średnią marżę całej firmy w drugiej połowie 2026 roku.

Aktualizacje spółek z otoczenia

Micron Technology (MU) oraz General Motors ogłosiły Strategic Customer Agreement. Umowa ma zapewnić długoterminowe, stabilne dostawy platform pamięci i dysków, kluczowych dla produkcji i dostaw pojazdów GM na dużą skalę. Obie firmy mają współpracować, aby wzmacniać łańcuchy dostaw półprzewodników i motoryzacji oraz wspierać kolejną generację amerykańskiej produkcji i innowacji. Umowa odzwierciedla inwestycje Micron w rozbudowę i lokalizację podaży dla klientów motoryzacyjnych, w tym zaawansowaną produkcję DRAM w Manassas w stanie Wirginia.

GlobalFoundries (GFS) poinformowało ostatnio o gotowości produkcyjnej technologii SLATE w podejściu wafer-to-wafer (łączeniu „wafla z waflem”) na platformie 9SW radio-frequency silicon-on-insulator (RF-SOI). Rozwiązanie ma umożliwiać zaawansowaną integrację 3D dla kompaktowych, wydajnych przednich układów (cellular front-ends). Technologia 9SW SLATE będzie wytwarzana w zakładzie GlobalFoundries o wielkości 300 mm w Singapurze. Spółka oczekuje, że wdrożenie do produkcji masowej nastąpi w drugiej połowie 2027 roku. Platforma 9SW RF-SOI została wprowadzona w 2023 roku i jest najnowocześniejszym rozwiązaniem GlobalFoundries dla segmentu RF w modułach przednich, obejmując zakresy poniżej 8 GHz oraz FR3 dla urządzeń mobilnych 5G i komunikacji satelitarnej.

TSM w skrócie — wycena i wyniki

W tym roku akcje TSM wzrosły o 47,1%, podczas gdy wzrost całej branży wyniósł 57,2%.

W ujęciu wyceny TSM jest notowana na forward 12-miesięcznym Price/Earnings (P/E) na poziomie 27,43x w porównaniu z medianą 24,29x oraz średnią branży 27,42x.

Prognozy konsensusu dotyczące zysków TSM na lata 2026 i 2027 wykazują trend wzrostowy w ciągu ostatnich 60 dni.

TSM ma Zacks Rank #2 (Buy).