Kioxia i Sandisk prezentują wysokowydajną pamięć flash 3D QLC dla AI

Kioxia Corporation, spółka zależna Kioxia Holdings Corporation (TOKYO: 285A), oraz Sandisk Corporation (Nasdaq: SNDK) zaprezentowały 12 sierpnia 2026 roku nową technologię wysokowydajnej pamięci flash 3D QLC dziewiątej generacji. QLC to rodzaj pamięci, w której jedna komórka przechowuje cztery bity danych. Układ o gęstości 2 Tb został zaprojektowany z myślą o rosnącym zapotrzebowaniu na pamięć masową w infrastrukturze wykorzystującej AI.

Technologia wykorzystuje architekturę CMOS bezpośrednio połączonego z matrycą pamięci (CBA, ang. CMOS directly Bonded to Array). CMOS to układy elektroniczne sterujące pamięcią, a CBA polega na ich bezpośrednim połączeniu z matrycą komórek pamięci. W nowym rozwiązaniu zaawansowana płytka CMOS łączy się ze sprawdzoną platformą matrycy pamięci. Obie warstwy są produkowane oddzielnie, w warunkach zoptymalizowanych dla każdego procesu, a następnie łączone.

W porównaniu z pamięcią 2 Tb QLC ósmej generacji nowa technologia zapewnia większą przepustowość zapisu i odczytu. Jest to możliwe dzięki architekturze z sześcioma płaszczyznami oraz usprawnieniom konstrukcyjnym i układowym. Zwiększono również efektywność energetyczną zapisu i odczytu.

Interfejs NAND osiąga prędkość 4,8 Gb/s, czyli o 33% więcej niż w układach ósmej generacji. Oznacza to transfer na poziomie 4,8 miliarda bitów na sekundę. Rozwiązanie ma przyspieszyć wdrażanie zaawansowanych pamięci masowych w chmurze oraz w zastosowaniach przetwarzających duże ilości danych.

„W miarę jak AI napędza dalszy rozwój społeczeństwa, jej zastosowania rozszerzają się od generatywnej AI po AI agentową i fizyczną. Jednocześnie wykorzystanie danych staje się coraz bardziej różnorodne i zaawansowane. Dzięki połączeniu sprawdzonej technologii komórek pamięci z najnowszą technologią CMOS Kioxia przyspiesza rozwój pamięci flash dziewiątej generacji. Takie podejście pozwala nam zapewnić wysoką wydajność przy stosunkowo niskich kosztach inwestycji” — powiedział Hideshi Miyajima, dyrektor ds. technologii w Kioxia.

„Szybkie upowszechnianie się AI przyspiesza przechodzenie na nowe interfejsy pamięci masowej i tworzy zapotrzebowanie na technologie pamięci, które mogą rozwijać się szybciej niż w poprzednich cyklach technologicznych. Nasza technologia QLC dziewiątej generacji pokazuje wyjątkową elastyczność architektury CBA. Umożliwia ona niezależny rozwój technologii CMOS i pamięci, a tym samym przyspiesza innowacje. Dzięki temu szybciej wprowadzamy nowe możliwości na rynek przy wyjątkowej efektywności kapitałowej” — powiedział Alper Ilkbahar, dyrektor ds. technologii w Sandisk.

Wprowadzenie pamięci flash 3D QLC dziewiątej generacji jest kolejnym etapem rozwoju technologii pamięci 3D. Pokazuje również siłę współpracy Kioxia i Sandisk. Wykorzystując elastyczność platformy CBA, firmy chcą tworzyć nowe możliwości rozwoju pamięci NAND i pomagać klientom zaspokajać rosnące zapotrzebowanie na pamięć masową w erze AI.

Gęstość 2 Tb odnosi się do pojemności chipów pamięci znajdujących się w produkcie, a nie do ilości miejsca dostępnego na dane dla użytkownika końcowego. Rzeczywista pojemność użytkowa może być niższa z powodu obszarów zajmowanych przez dane techniczne, formatowanie, uszkodzone bloki i inne ograniczenia. Może się także różnić w zależności od urządzenia i zastosowania.