Micron zapowiada inwestycje o wartości 250 mld USD na rozbudowę produkcji pamięci dla AI

Micron zapowiedział wieloletni program inwestycyjny o wartości 250 mld USD skoncentrowany na budowie fabryk i rozwoju technologii w USA. Inwestycja ma skalować produkcję DRAM (pamięć operacyjna) i przygotować grunt pod produkcję HBM (high-bandwidth memory, pamięć o dużej przepustowości) na większą skalę.

Firma dąży do zwiększenia krajowego udziału produkcji DRAM, z celem wytwarzania 40% całkowitej produkcji DRAM w Stanach Zjednoczonych. Większa skala ma pomóc uchwycić rosnący popyt na pamięci wynikający z rozwoju infrastruktury AI oraz zmniejszyć wrażliwość na cykliczność rynku pamięci.

HBM to złożone układy pamięciowe stosowane w systemach AI. Produkuje się je z dużych ilości zaawansowanych waferów (wafer — płytka krzemowa używana do produkcji chipów) DRAM i wymagają one skomplikowanego pakowania. To właśnie te etapy produkcji są celem zapowiedzianych wydatków.

W stanie Nowy Jork Micron buduje kompleks z nawet czterema fabrykami przeznaczonymi do masowej produkcji DRAM. W Idaho i Wirginii firma inwestuje w badania i rozwój, przyspieszając prace nad produktami i modernizując istniejące zakłady.

Poprzez rozszerzanie krajowej infrastruktury Micron tworzy kompletny łańcuch produkcyjny w USA — od wytwarzania waferów po zaawansowane pakowanie. Taka konfiguracja ma zbliżyć firmę do modelu zintegrowanych operacji, które od dawna stosują azjatyccy konkurenci, tacy jak SK Hynix i Samsung.

Micron podkreśla, że inwestycje mają przekształcić wcześniejsze, pojedyncze projekty w spójną platformę produkcyjną, zaprojektowaną do długotrwałego prowadzenia w segmencie DRAM oraz pamięci HBM zoptymalizowanej pod AI. Jednocześnie rywale zagraniczni zwiększają moce produkcyjne, co zaostrza konkurencję o popyt ze strony dużych dostawców usług chmurowych, w tym Microsoft, Alphabet, Amazon i Meta Platforms.