DB HiTek kończy kwalifikację niezawodności procesu SiC MOSFET 1 200 V na waflach 8-calowych

DB HiTek, czołowa południowokoreańska wyspecjalizowana odlewnia kontraktowa układów scalonych na waflach 8-calowych, poinformowała 9 września 2026 r. o pomyślnym zakończeniu kwalifikacji niezawodności procesu produkcji tranzystorów mocy SiC MOSFET o napięciu 1 200 V. Proces wykorzystuje wafle o średnicy 8 cali, czyli 200 mm.

Osiągnięcie to jest kolejnym etapem wejścia DB HiTek na rynek usług produkcji kontraktowej układów SiC na waflach 8-calowych. Produkcja masowa ma rozpocząć się w 2027 r. Po zakończeniu kwalifikacji spółka zamierza rozbudować wsparcie dla klientów podczas opracowywania produktów, pozyskać nowych odbiorców i przyspieszyć przygotowania do produkcji na dużą skalę.

Węglik krzemu (SiC) to materiał nowej generacji wykorzystywany w półprzewodnikach mocy. W warunkach wysokiej temperatury i wysokiego napięcia oferuje lepsze parametry niż tradycyjny krzem (Si). Dzięki temu nadaje się między innymi do samochodów elektrycznych, systemów energii odnawialnej i przemysłowych urządzeń zasilających.

Obecnie na rynku SiC dominują wafle 6-calowe. Najwięksi światowi producenci półprzewodników przechodzą jednak na wafle 8-calowe, aby zwiększyć wydajność produkcji i poprawić konkurencyjność kosztową. DB HiTek odpowiedziała na tę zmianę, opracowując technologię produkcji SiC na waflach 8-calowych i rozwijając usługi odlewni kontraktowej.

Dzięki optymalizacji procesu produkcji tranzystorów SiC MOSFET dużej mocy spółka uzyskała konkurencyjne parametry elektryczne oraz wysoki poziom niezawodności. DB HiTek stworzyła pierwszy na świecie kompletny proces produkcji kontraktowej układów SiC o napięciu 1 200 V na waflach 8-calowych. Platforma umożliwia klientom korzystanie ze wsparcia w zakresie projektowania, produkcji, pomiarów parametrów elektrycznych oraz kwalifikacji niezawodności.

W ramach przygotowań do komercyjnego uruchomienia usług produkcji SiC na waflach 8-calowych DB HiTek udostępnia klientom zestawy narzędzi do projektowania procesu (PDK). Obejmują one autorskie procesy pierwszej i drugiej generacji dla tranzystorów SiC MOSFET o napięciu 1 200 V. Udostępnienie PDK trzeciej generacji zaplanowano na listopad.

PDK to zestaw danych i narzędzi, który pomaga projektantom dostosować układ do konkretnego procesu produkcyjnego. Klienci mogą dzięki nim ograniczyć zasoby potrzebne na początkowych etapach prac, szybciej przygotować prototypy i skrócić czas opracowywania produktu o ponad rok.

Proces drugiej generacji objęty PDK osiąga rezystancję w stanie włączenia przypadającą na jednostkę powierzchni (Rsp) na poziomie 2,5 mΩ·cm² lub niższym. Przy napięciu bramki w stanie włączenia (Vgs(on)) wynoszącym 18 V napięcie progowe (Vth) wynosi co najmniej 3 V. Proces przeszedł również kwalifikację niezawodności, która jest wymagającym etapem rozwoju technologii.

Proces trzeciej generacji, którego udostępnienie zaplanowano na listopad, przechodzi obecnie kwalifikację. Celem jest uzyskanie rezystancji Rsp na poziomie 2,3 mΩ·cm² lub niższym przy tym samym napięciu bramki w stanie włączenia wynoszącym 18 V. Celem jest również osiągnięcie czasu wytrzymywania zwarcia (SCWT) wynoszącego co najmniej 2,5 μs w bezpiecznym obszarze pracy przy zwarciu (SCSOA). Po zakończeniu kwalifikacji DB HiTek zamierza udostępnić klientom PDK trzeciej generacji.

DB HiTek planuje zakończyć przygotowania procesu i udostępnić go wieloletnim klientom w III kwartale 2026 r. Wszystkim klientom usługa ma być dostępna od II kwartału 2027 r.

„Zakończenie kwalifikacji niezawodności naszego procesu SiC MOSFET o napięciu 1 200 V ma duże znaczenie, ponieważ pokazuje, że zabezpieczyliśmy kluczową technologię procesową i zaplecze produkcyjne niezbędne do zaoferowania pierwszej na świecie usługi produkcji kontraktowej układów SiC na waflach 8-calowych” — powiedział przedstawiciel DB HiTek. „Będziemy nadal przygotowywać się do uruchomienia masowej produkcji SiC na waflach 8-calowych w 2027 r. Chcemy zbudować pozycję na rynku i zwiększyć konkurencyjność w segmencie odlewni kontraktowych półprzewodników mocy nowej generacji.”