Chińska CXMT rozpoczyna małoseryjną produkcję pamięci HBM3E

ChangXin Memory Technologies (CXMT), czołowy chiński producent pamięci, rozpoczął małoseryjną produkcję zaawansowanych układów HBM3E. Jak wynika z doniesień „The Information”, chińska firma pozostaje już tylko o jedną generację technologiczną za światowymi liderami, a krajowi giganci technologiczni rozpoczynają testy integracyjne. Pamięć HBM (pamięć o wysokiej przepustowości) oferuje bardzo dużą przepustowość i jest wykorzystywana między innymi w układach do sztucznej inteligencji.

To strategiczny przełom dla chińskich ambicji w dziedzinie sztucznej inteligencji. Rozwój tego sektora był regularnie hamowany przez restrykcyjne amerykańskie ograniczenia eksportowe dotyczące zaawansowanych układów pamięci. Chińscy projektanci układów, w tym jednostka T-Head należąca do Alibaba Group oraz Cambricon Technologies, aktywnie testują układy HBM3E produkowane przez CXMT. Planują włączyć je do komercyjnych procesorów już w przyszłym roku.

Wczesne wdrożenia u krajowych projektantów mogą dostarczyć CXMT cennych informacji zwrotnych na temat działania układów oraz danych produkcyjnych potrzebnych do skutecznego zwiększenia skali wytwarzania. Pamięć o wysokiej przepustowości stała się jednym z głównych ograniczeń światowej infrastruktury sztucznej inteligencji. Tradycyjni dostawcy nie nadążają za rosnącym popytem ze strony głównych projektantów układów, takich jak Nvidia i Google.

Mimo postępu technologicznego CXMT musi zmierzyć się z poważnymi problemami operacyjnymi związanymi z niskim uzyskiem produkcyjnym, czyli odsetkiem sprawnych układów otrzymywanych w procesie wytwarzania, oraz ograniczonym dostępem do zaawansowanych urządzeń produkcyjnych. Zachodnie sankcje handlowe nadal utrudniają zakup najnowocześniejszych zagranicznych narzędzi dla przemysłu półprzewodników.

Według raportu cała technologia HBM CXMT pozostaje obecnie szacunkowo o 3–5 lat opóźniona względem głównych światowych konkurentów: SK Hynix, Samsung Electronics i Micron Technology. Globalni rywale przechodzą już do masowej produkcji pamięci HBM4 kolejnej generacji. Początkowe wdrożenie HBM3E przez CXMT zakłada stopniowe zwiększanie produkcji, tak aby osiągnąć szerszą dostępność komercyjną do 2027 roku.

Rozpoczęcie produkcji nastąpiło po przeprowadzeniu przez CXMT pierwszej oferty publicznej w Szanghaju. Producent pamięci pozyskał w niej 8,6 mld USD na nakłady inwestycyjne i rozwój technologii. Zainteresowanie inwestorów chińskim liderem rynku pamięci spowodowało wzrost kursu jego akcji o 472% podczas debiutu giełdowego, podkreślając ogromny popyt inwestorów na krajowych liderów sektora półprzewodników.

Zastrzyk kapitału zbiegł się z wyraźną poprawą sytuacji finansowej spółki, napędzaną globalnym cyklem rozwoju sprzętu do sztucznej inteligencji oraz rosnącą obecnością CXMT na krajowym rynku. W pierwszej połowie roku przychody spółki wzrosły niemal dziesięciokrotnie, do 150,3 mld juanów (22,3 mld USD). CXMT wypracowała 77,6 mld juanów (11,5 mld USD) zysku netto, odwracając straty odnotowane rok wcześniej.

CXMT powstała w 2016 roku przy wsparciu lokalnych władz. Firma rozwinęła się do rangi czwartego największego na świecie producenta standardowych pamięci DRAM i stała się jednym z filarów szerszej chińskiej polityki przemysłowej, której celem jest samowystarczalność kraju w produkcji układów scalonych. Podczas gdy globalni konkurenci przechodzą do masowej produkcji pamięci HBM4 kolejnej generacji, CXMT dopiero rozpoczyna wdrażanie HBM3E, a szersza dostępność komercyjna tej technologii ma nastąpić do 2027 roku.