Czy cykl pamięci DRAM i NAND będzie wyjątkowo długi? Micron i SanDisk korzystają z AI

Rynek pamięci DRAM i NAND (flash) przechodzi obecnie jedną z najlepszych faz w historii. Na tym tle rosną wyniki Micron Technology oraz SanDisk, co przekłada się na rekordowe zyski i bardzo dobre przepływy pieniężne.

Micron jest jednym z trzech największych producentów DRAM (obok SK Hynix i Samsunga), a prawie jedną czwartą swoich przychodów czerpie z pamięci NAND. SanDisk działa natomiast jako „pure-play” w segmencie flash, czyli firma mocno skoncentrowana na pamięciach typu NAND.

Dynamika wzrostu w obu segmentach jest powiązana z budową infrastruktury pod sztuczną inteligencję (AI). Mechanizmy stojące za obecnymi zaburzeniami równowagi popytu i podaży są jednak nieco inne.

Flash NAND był w czasie pandemii COVID-19 w poważnym rynku hossy. Wprowadzane nakazy „zostań w domu” doprowadziły do wzrostu zapotrzebowania na elektronikę, która często korzysta z pamięci flash. Producenci pamięci zaczęli więc zwiększać moce produkcyjne NAND, ale gdy pandemia się skończyła, popyt gwałtownie spadł. To doprowadziło do masywnej nadpodaży NAND, negatywnych marż brutto oraz do ograniczania mocy przez największych producentów pamięci (tzw. big three) i przenoszenia uwagi na bardziej dochodowy DRAM.

Obecnie obraz wygląda inaczej. Wraz z rozwojem boomu na AI centra danych wkrótce potrzebowały dużych, firmowych dysków SSD (enterprise SSD) z dużą ilością NAND do przechowywania danych treningowych, co szybko zwiększyło zapotrzebowanie po wcześniejszym obniżeniu mocy. Jednocześnie na pierwszy plan wyszła pamięć o wysokiej przepustowości (HBM) – wyspecjalizowana odmiana DRAM wykorzystywana w rozbudowie pod AI – a producenci z grupy big three DRAM nie spieszyli się z podnoszeniem mocy NAND. W efekcie powstał rynek flash ograniczony podażą, mimo rosnącego popytu.

Podobny mechanizm działał w przypadku DRAM. Procesory graficzne (GPU) i inne układy AI muszą być pakowane razem z HBM, aby ograniczać opóźnienia i poprawiać efektywność energetyczną. Gdy rósł popyt na GPU, rósł też popyt na HBM. Gdy producenci DRAM skupili się na zwiększaniu mocy HBM, cały rynek DRAM zaczął być niedoposażony, a ceny wyraźnie poszły w górę.

Historycznie rynek pamięci był bardzo cykliczny, z dużymi cyklami boom–bust. Jak wspomniano wcześniej, ostatni cykl pamięci NAND załamał się: firmy zaczęły wylewać podaż na rynek po cenach poniżej kosztów wytworzenia. To jedna z głównych przyczyn, dla których akcje spółek z branży pamięci notowane są przy jednocyfrowych prognozowanych wskaźnikach P/E (forward P/E), mimo szybkiego wzrostu.

Dlaczego tym razem miałoby być inaczej?

Można jednak argumentować, że tym razem jest inaczej. HBM stał się integralnym elementem budowy infrastruktury pod AI i najpewniej pozostanie rynkiem ograniczonym podażą także w przyszłości. Jednym z powodów jest to, że HBM wykorzystuje te same maszyny do litografii EUV (ekstremalny ultrafiolet) używane do wytwarzania GPU i innych zaawansowanych układów logicznych. ASML to jedyna firma na świecie, która ma technologię do produkcji tych maszyn, co ogranicza możliwości producentów DRAM w zakresie dramatycznego zwiększania mocy. Jednocześnie HBM wymaga trzykrotnie większej „zdolności wafrowej” niż typowy DRAM, co dodatkowo utrudnia szybkie podbijanie podaży.

Gdy hiperskalowcy nadal będą inwestować duże pieniądze w infrastrukturę AI, popyt na chipy oraz HBM będzie nadal rósł. Jednocześnie producenci DRAM z grupy big three po raz pierwszy zaczęli podpisywać długoterminowe umowy. Powinno to zwiększać przewidywalność i zmniejszać część cykliczności w tym biznesie.

Tymczasem podaż flash również może pozostać ograniczona w dającej się przewidzieć przyszłości. Wiodący producenci pamięci kierują kluczową przestrzeń w czystych pomieszczeniach (cleanroom) na potrzeby HBM, a nowe projekty nie powinny szybko wprowadzać na rynek istotnych dodatkowych mocy. Wzrost popularności agentów AI będzie też wymagał więcej długoterminowego przechowywania danych, co powinno pomagać w utrzymaniu wysokiego popytu. Spółki z branży pamięci rozwijają również high-bandwidth flash (HBF), co może być kolejnym katalizatorem.

Jeśli zarówno cykl DRAM, jak i cykl NAND rzeczywiście różnią się od poprzednich, to Micron, SK Hynix, SanDisk oraz inne spółki pamięci mogą mieć przed sobą znacznie większy potencjał. Ich bieżące wyceny mogą nie uwzględniać scenariusza bardzo wydłużonej koniunktury. W związku z tym mogą to być jedne z najlepszych spółek z segmentu AI do kupowania.